AP80N04G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP80N04G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6-8L
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AP80N04G datasheet
Otros transistores... AP3908QD , AP3910GD , AP4008QD , AP4085G , AP4822QD , AP4910GD , AP60P20Q , AP68N06G , 20N60 , AP80N04Q , AP90N03Q , AP90P03G , AP90P03Q , APG077N01G , APG095N01G , ASDM30N55E-R , ASDM30N65E-R .
History: AP90P03Q | AP80N04Q
🌐 : EN ES РУ
Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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