AP80N04G Todos los transistores

 

AP80N04G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP80N04G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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AP80N04G Datasheet (PDF)

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AP80N04G

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AP80N04G

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 9.1. Size:95K  ape
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AP80N04G

AP80N30WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 300V Lower On-resistance RDS(ON) 66m High Speed Switching ID 36AGSDescriptionAP80N30 from APEC provide the designer with the best combination offast switching, low on-resistance and cost-effectiveness.GThe TO-3P package is

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History: QS6K21 | IRFU3704Z | AOK22N50L | SL50N02D | DMN15H310SK3 | NCE40H11K

 

 
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