AP80N04G - аналоги и даташиты транзистора

 

AP80N04G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP80N04G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AP80N04G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80N04G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1965K  1
 ap80n04g.pdf pdf_icon

AP80N04G

 7.1. Size:570K  1
 ap80n04q.pdf pdf_icon

AP80N04G

 7.2. Size:1407K  cn apm
 ap80n04df.pdf pdf_icon

AP80N04G

AP80N04DF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80N04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =80 A DS DR

 7.3. Size:1651K  cn apm
 ap80n04d.pdf pdf_icon

AP80N04G

AP80N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =80 A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3908QD , AP3910GD , AP4008QD , AP4085G , AP4822QD , AP4910GD , AP60P20Q , AP68N06G , IRF840 , AP80N04Q , AP90N03Q , AP90P03G , AP90P03Q , APG077N01G , APG095N01G , ASDM30N55E-R , ASDM30N65E-R .

History: AP4438CGM | SIL2301 | AP4034GM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.