Справочник MOSFET. AP80N04G

 

AP80N04G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP80N04G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AP80N04G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80N04G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1965K  1
 ap80n04g.pdf pdf_icon

AP80N04G

 7.1. Size:570K  1
 ap80n04q.pdf pdf_icon

AP80N04G

 8.1. Size:175K  ape
 ap80n03gp.pdf pdf_icon

AP80N04G

AP80N03GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance BVDSS 30VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 8m Simple Drive Requirement ID 80AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP80N03 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve the low

 9.1. Size:95K  ape
 ap80n30w.pdf pdf_icon

AP80N04G

AP80N30WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS 300V Lower On-resistance RDS(ON) 66m High Speed Switching ID 36AGSDescriptionAP80N30 from APEC provide the designer with the best combination offast switching, low on-resistance and cost-effectiveness.GThe TO-3P package is

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3908QD , AP3910GD , AP4008QD , AP4085G , AP4822QD , AP4910GD , AP60P20Q , AP68N06G , 20N60 , AP80N04Q , AP90N03Q , AP90P03G , AP90P03Q , APG077N01G , APG095N01G , ASDM30N55E-R , ASDM30N65E-R .

History: VS3638GE | UPA2353 | IRHMS597260 | HU830U | HGN080N10S | HSU6002 | IRF7821PBF

 

 
Back to Top

 


 
.