AP80N04Q Todos los transistores

 

AP80N04Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP80N04Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

AP80N04Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:570K  1
 ap80n04q.pdf pdf_icon

AP80N04Q

 7.1. Size:1965K  1
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AP80N04Q

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AP80N04Q

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 9.1. Size:95K  ape
 ap80n30w.pdf pdf_icon

AP80N04Q

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History: IRLR8203PBF | MTN50N06E3 | CPC3730 | 25NF20 | SSFT4004 | SM3116NAF | IPI051N15N5

 

 
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