AP80N04Q - описание и поиск аналогов

 

AP80N04Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP80N04Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

Аналог (замена) для AP80N04Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80N04Q даташит

 ..1. Size:570K  1
ap80n04q.pdfpdf_icon

AP80N04Q

 ..2. Size:570K  allpower
ap80n04q.pdfpdf_icon

AP80N04Q

 7.1. Size:1965K  1
ap80n04g.pdfpdf_icon

AP80N04Q

 7.2. Size:1965K  allpower
ap80n04g.pdfpdf_icon

AP80N04Q

Другие MOSFET... AP3910GD , AP4008QD , AP4085G , AP4822QD , AP4910GD , AP60P20Q , AP68N06G , AP80N04G , IRF540N , AP90N03Q , AP90P03G , AP90P03Q , APG077N01G , APG095N01G , ASDM30N55E-R , ASDM30N65E-R , ASDM30P11TD-R .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.