AP80N04Q - аналоги и даташиты транзистора

 

AP80N04Q - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP80N04Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для AP80N04Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80N04Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:570K  1
 ap80n04q.pdf pdf_icon

AP80N04Q

 7.1. Size:1965K  1
 ap80n04g.pdf pdf_icon

AP80N04Q

 7.2. Size:1407K  cn apm
 ap80n04df.pdf pdf_icon

AP80N04Q

AP80N04DF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80N04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =80 A DS DR

 7.3. Size:1651K  cn apm
 ap80n04d.pdf pdf_icon

AP80N04Q

AP80N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =80 A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3910GD , AP4008QD , AP4085G , AP4822QD , AP4910GD , AP60P20Q , AP68N06G , AP80N04G , IRF540N , AP90N03Q , AP90P03G , AP90P03Q , APG077N01G , APG095N01G , ASDM30N55E-R , ASDM30N65E-R , ASDM30P11TD-R .

History: 2SK1488 | SI3465DV | 3080K | 2SK3883-01 | APT5012JN | SE60120B | HY3003B

 

 
Back to Top

 


 
.