AP90P03Q Todos los transistores

 

AP90P03Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP90P03Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 534 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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AP90P03Q Datasheet (PDF)

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AP90P03Q

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AP90P03Q

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ap90p03nf.pdf pdf_icon

AP90P03Q

AP90P03NF -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90P03NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-90A DS DR

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ap90p01d.pdf pdf_icon

AP90P03Q

AP90P01D 12V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90P01D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =12V I =90A DS DR

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History: SSM3J56ACT | STB23N80K5 | S-LN2302BLT1G | AUIRF2804S-7P | 2SK4123LS | 2SK3705 | AP62T02GJ

 

 
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