AP90P03Q - аналоги и даташиты транзистора

 

AP90P03Q - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP90P03Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 534 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для AP90P03Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP90P03Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  1
 ap90p03q.pdf pdf_icon

AP90P03Q

 7.1. Size:647K  1
 ap90p03g.pdf pdf_icon

AP90P03Q

 7.2. Size:1053K  cn apm
 ap90p03nf.pdf pdf_icon

AP90P03Q

AP90P03NF -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90P03NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-90A DS DR

 8.1. Size:1731K  cn apm
 ap90p01d.pdf pdf_icon

AP90P03Q

AP90P01D 12V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90P01D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =12V I =90A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP4822QD , AP4910GD , AP60P20Q , AP68N06G , AP80N04G , AP80N04Q , AP90N03Q , AP90P03G , IRFP460 , APG077N01G , APG095N01G , ASDM30N55E-R , ASDM30N65E-R , ASDM30P11TD-R , ASDM30P30CTD-R , ASDM40N52E-R , AUIRFN8405TR .

History: FDS5351 | S15H12R

 

 
Back to Top

 


 
.