APG077N01G Todos los transistores

APG077N01G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APG077N01G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 105 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 362 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0077 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros