APG077N01G - аналоги и даташиты транзистора

 

APG077N01G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: APG077N01G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 362 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0077 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для APG077N01G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG077N01G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1695K  1
 apg077n01g.pdf pdf_icon

APG077N01G

Другие MOSFET... AP4910GD , AP60P20Q , AP68N06G , AP80N04G , AP80N04Q , AP90N03Q , AP90P03G , AP90P03Q , IRFZ44 , APG095N01G , ASDM30N55E-R , ASDM30N65E-R , ASDM30P11TD-R , ASDM30P30CTD-R , ASDM40N52E-R , AUIRFN8405TR , CJAC100SN08U .

 

 
Back to Top

 


 
.