AUIRFN8405TR Todos los transistores

 

AUIRFN8405TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AUIRFN8405TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 187 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 78 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 758 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: PQFN5X6
     - Selección de transistores por parámetros

 

AUIRFN8405TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:561K  1
 auirfn8405tr.pdf pdf_icon

AUIRFN8405TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFN8405 Features HEXFET POWER MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 40V 175C Operating Temperature RDS(on) typ. 1.6m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 2.0m Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 187A Automotive Qualified *

 4.1. Size:576K  international rectifier
 auirfn8405.pdf pdf_icon

AUIRFN8405TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFN8405 Features HEXFET POWER MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 40V 175C Operating Temperature RDS(on) typ. 1.6m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 2.0m Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 187A Automotive Qualified *

 4.2. Size:561K  infineon
 auirfn8405.pdf pdf_icon

AUIRFN8405TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFN8405 Features HEXFET POWER MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 40V 175C Operating Temperature RDS(on) typ. 1.6m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 2.0m Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 187A Automotive Qualified *

 5.1. Size:611K  international rectifier
 auirfn8401.pdf pdf_icon

AUIRFN8405TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFN8401 Features HEXFET POWER MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 40V 175C Operating Temperature RDS(on) typ. 3.6m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 4.6m Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 84A Automotive Qualified * De

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History: BLF6G27-100 | HCFL60R190

 

 
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