Справочник MOSFET. AUIRFN8405TR

 

AUIRFN8405TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AUIRFN8405TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 187 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 758 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: PQFN5X6
 

 Аналог (замена) для AUIRFN8405TR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFN8405TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:561K  1
 auirfn8405tr.pdf pdf_icon

AUIRFN8405TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFN8405 Features HEXFET POWER MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 40V 175C Operating Temperature RDS(on) typ. 1.6m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 2.0m Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 187A Automotive Qualified *

 4.1. Size:576K  international rectifier
 auirfn8405.pdf pdf_icon

AUIRFN8405TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFN8405 Features HEXFET POWER MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 40V 175C Operating Temperature RDS(on) typ. 1.6m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 2.0m Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 187A Automotive Qualified *

 4.2. Size:561K  infineon
 auirfn8405.pdf pdf_icon

AUIRFN8405TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFN8405 Features HEXFET POWER MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 40V 175C Operating Temperature RDS(on) typ. 1.6m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 2.0m Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 187A Automotive Qualified *

 5.1. Size:611K  international rectifier
 auirfn8401.pdf pdf_icon

AUIRFN8405TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFN8401 Features HEXFET POWER MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 40V 175C Operating Temperature RDS(on) typ. 3.6m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 4.6m Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 84A Automotive Qualified * De

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP90P03Q , APG077N01G , APG095N01G , ASDM30N55E-R , ASDM30N65E-R , ASDM30P11TD-R , ASDM30P30CTD-R , ASDM40N52E-R , IRF3710 , CJAC100SN08U , CJAC110SN10A , CJAC80SN10 , DMN3009LFVW-7 , DMN3010LFG-7 , DMN3016LPS-13 , DMNH10H028SPSQ-13 , DMNH4006SPSQ-13 .

History: KMB2D0N60SA | HGI1K2N20ML | 8N60A

 

 
Back to Top

 


 
.