AUIRFN8405TR - описание и поиск аналогов

 

AUIRFN8405TR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AUIRFN8405TR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 187 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 758 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: PQFN5X6

Аналог (замена) для AUIRFN8405TR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AUIRFN8405TR даташит

 ..1. Size:561K  1
auirfn8405tr.pdfpdf_icon

AUIRFN8405TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFN8405 Features HEXFET POWER MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 40V 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 1.6m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 2.0m Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 187A Automotive Qualified *

 4.1. Size:576K  international rectifier
auirfn8405.pdfpdf_icon

AUIRFN8405TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFN8405 Features HEXFET POWER MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 40V 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 1.6m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 2.0m Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 187A Automotive Qualified *

 4.2. Size:561K  infineon
auirfn8405.pdfpdf_icon

AUIRFN8405TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFN8405 Features HEXFET POWER MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 40V 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 1.6m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 2.0m Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 187A Automotive Qualified *

 5.1. Size:611K  international rectifier
auirfn8401.pdfpdf_icon

AUIRFN8405TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFN8401 Features HEXFET POWER MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 40V 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 3.6m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 4.6m Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 84A Automotive Qualified * De

Другие MOSFET... AP90P03Q , APG077N01G , APG095N01G , ASDM30N55E-R , ASDM30N65E-R , ASDM30P11TD-R , ASDM30P30CTD-R , ASDM40N52E-R , AO3400 , CJAC100SN08U , CJAC110SN10A , CJAC80SN10 , DMN3009LFVW-7 , DMN3010LFG-7 , DMN3016LPS-13 , DMNH10H028SPSQ-13 , DMNH4006SPSQ-13 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.