DMTH6010LPSQ-13 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMTH6010LPSQ-13

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 746 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: POWERDI5060-8

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DMTH6010LPSQ-13 datasheet

 0.1. Size:536K  1
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DMTH6010LPSQ-13

 2.1. Size:536K  diodes
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DMTH6010LPSQ-13

 5.1. Size:539K  diodes
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DMTH6010LPSQ-13

Green DMTH6010LK3 60V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID Max Excellent Qgd x RDS (ON) Product (FOM) BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Advanced Technology for DC/DC Converters 8m @ VGS = 10V 70A 60V Small form factor thermally efficient package enables hi

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