DMTH6010LPSQ-13. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMTH6010LPSQ-13

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 746 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: POWERDI5060-8

Аналог (замена) для DMTH6010LPSQ-13

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMTH6010LPSQ-13 даташит

 0.1. Size:536K  1
 dmth6010lpsq-13.pdf pdf_icon

DMTH6010LPSQ-13

 2.1. Size:536K  diodes
 dmth6010lpsq.pdf pdf_icon

DMTH6010LPSQ-13

 5.1. Size:539K  diodes
 dmth6010lk3.pdf pdf_icon

DMTH6010LPSQ-13

Green DMTH6010LK3 60V 175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized ID Max Excellent Qgd x RDS (ON) Product (FOM) BVDSS RDS(ON) Max TC = +25 C Advanced Technology for DC/DC Converters 8m @ VGS = 10V 70A 60V Small form factor thermally efficient package enables hi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMT31M6LPS-13, DMT32M5LPS-13, DMT6004LPS-13, DMT6005LPS-13, DMT6009LPS-13, DMT6016LPS-13, DMTH4007LPS-13, DMTH6002LPS-13, 12N60, DMTH8003SPS-13, DMTH8012LPSW-13, EMB06N03V, FDMS86380-F085, G12P03D3, G16P03D3, GL150N03AD, GL35N03AD3