EMB06N03V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMB06N03V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 26 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 328 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: EDFN3X3
Búsqueda de reemplazo de EMB06N03V MOSFET
EMB06N03V Datasheet (PDF)
emb06n03v.pdf

EMB06N03VNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)6mID26AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20
Otros transistores... DMT6005LPS-13 , DMT6009LPS-13 , DMT6016LPS-13 , DMTH4007LPS-13 , DMTH6002LPS-13 , DMTH6010LPSQ-13 , DMTH8003SPS-13 , DMTH8012LPSW-13 , AON7506 , FDMS86380-F085 , G12P03D3 , G16P03D3 , GL150N03AD , GL35N03AD3 , GT080N10D5 , GT110N06D5 , HGQ065NE4A .
History: AP18T10GM-HF | DMT6004LPS-13 | SI4134DY | HTD350C04 | IRFR420 | AM60P04-10D | NDB6030
History: AP18T10GM-HF | DMT6004LPS-13 | SI4134DY | HTD350C04 | IRFR420 | AM60P04-10D | NDB6030



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926