Справочник MOSFET. EMB06N03V

 

EMB06N03V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EMB06N03V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 26 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 328 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: EDFN3X3
 

 Аналог (замена) для EMB06N03V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMB06N03V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  1
 emb06n03v.pdf pdf_icon

EMB06N03V

EMB06N03VNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)6mID26AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20

Другие MOSFET... DMT6005LPS-13 , DMT6009LPS-13 , DMT6016LPS-13 , DMTH4007LPS-13 , DMTH6002LPS-13 , DMTH6010LPSQ-13 , DMTH8003SPS-13 , DMTH8012LPSW-13 , AON7506 , FDMS86380-F085 , G12P03D3 , G16P03D3 , GL150N03AD , GL35N03AD3 , GT080N10D5 , GT110N06D5 , HGQ065NE4A .

History: SML30J70 | OSG55R030HZF | TPC6113 | IPP80N06S4-07 | IXTP6N100D2 | WMB90P03TS | IPP120N04S3-02

 

 
Back to Top

 


 
.