EMB06N03V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EMB06N03V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 26 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 328 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: EDFN3X3

Аналог (замена) для EMB06N03V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMB06N03V даташит

 ..1. Size:206K  1
 emb06n03v.pdf pdf_icon

EMB06N03V

Другие IGBT... DMT6005LPS-13, DMT6009LPS-13, DMT6016LPS-13, DMTH4007LPS-13, DMTH6002LPS-13, DMTH6010LPSQ-13, DMTH8003SPS-13, DMTH8012LPSW-13, IRFB3607, FDMS86380-F085, G12P03D3, G16P03D3, GL150N03AD, GL35N03AD3, GT080N10D5, GT110N06D5, HGQ065NE4A