G12P03D3 Todos los transistores

 

G12P03D3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G12P03D3
   Código: G12P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 181 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L
 

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G12P03D3 Datasheet (PDF)

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G12P03D3

GOFORD G12P03D3P-Channel Trench MOSFETDescriptionThe G12P03D3 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General Features VDS -30V Schematic diagram ID (at VGS = -10V) -12A RDS(ON) (at VGS = -10V)

Otros transistores... DMT6016LPS-13 , DMTH4007LPS-13 , DMTH6002LPS-13 , DMTH6010LPSQ-13 , DMTH8003SPS-13 , DMTH8012LPSW-13 , EMB06N03V , FDMS86380-F085 , AO4407 , G16P03D3 , GL150N03AD , GL35N03AD3 , GT080N10D5 , GT110N06D5 , HGQ065NE4A , HSBA3016 , HSBA4115 .

 

 
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