G12P03D3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G12P03D3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 181 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: DFN3X3-8L

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G12P03D3 datasheet

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G12P03D3

GOFORD G12P03D3 P-Channel Trench MOSFET Description The G12P03D3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS -30V Schematic diagram ID (at VGS = -10V) -12A RDS(ON) (at VGS = -10V)

Otros transistores... DMT6016LPS-13, DMTH4007LPS-13, DMTH6002LPS-13, DMTH6010LPSQ-13, DMTH8003SPS-13, DMTH8012LPSW-13, EMB06N03V, FDMS86380-F085, IRF530, G16P03D3, GL150N03AD, GL35N03AD3, GT080N10D5, GT110N06D5, HGQ065NE4A, HSBA3016, HSBA4115