G12P03D3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G12P03D3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 181 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для G12P03D3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G12P03D3 даташит

 ..1. Size:828K  1
 g12p03d3.pdf pdf_icon

G12P03D3

GOFORD G12P03D3 P-Channel Trench MOSFET Description The G12P03D3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS -30V Schematic diagram ID (at VGS = -10V) -12A RDS(ON) (at VGS = -10V)

Другие IGBT... DMT6016LPS-13, DMTH4007LPS-13, DMTH6002LPS-13, DMTH6010LPSQ-13, DMTH8003SPS-13, DMTH8012LPSW-13, EMB06N03V, FDMS86380-F085, IRF530, G16P03D3, GL150N03AD, GL35N03AD3, GT080N10D5, GT110N06D5, HGQ065NE4A, HSBA3016, HSBA4115