G12P03D3 - аналоги и даташиты транзистора

 

G12P03D3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: G12P03D3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 181 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для G12P03D3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G12P03D3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:828K  1
 g12p03d3.pdf pdf_icon

G12P03D3

GOFORD G12P03D3P-Channel Trench MOSFETDescriptionThe G12P03D3 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General Features VDS -30V Schematic diagram ID (at VGS = -10V) -12A RDS(ON) (at VGS = -10V)

Другие MOSFET... DMT6016LPS-13 , DMTH4007LPS-13 , DMTH6002LPS-13 , DMTH6010LPSQ-13 , DMTH8003SPS-13 , DMTH8012LPSW-13 , EMB06N03V , FDMS86380-F085 , AO4407 , G16P03D3 , GL150N03AD , GL35N03AD3 , GT080N10D5 , GT110N06D5 , HGQ065NE4A , HSBA3016 , HSBA4115 .

History: IRFS542

 

 
Back to Top

 


 
.