GL150N03AD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GL150N03AD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: QFN5X6

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GL150N03AD Datasheet (PDF)

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gl150n03ad.pdf

R GL150N03AD GL Silicon N-Channel Power MOSFET V 30 V DSSGeneral Description ID 150 A The GL150N03AD uses advanced trench technology P 78 W D and design to provide excellent RDS(ON) with low gate R 1.9 m DS(ON)charge. It can be used in a wide variety of applications. The QFN56 package form is QFN56, which accord

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Liste

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