GL150N03AD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GL150N03AD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: QFN5X6

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GL150N03AD datasheet

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GL150N03AD

R GL150N03AD GL Silicon N-Channel Power MOSFET V 30 V DSS General Description ID 150 A The GL150N03AD uses advanced trench technology P 78 W D and design to provide excellent RDS(ON) with low gate R 1.9 m DS(ON) charge. It can be used in a wide variety of applications. The QFN5 6 package form is QFN5 6, which accord

Otros transistores... DMTH6002LPS-13, DMTH6010LPSQ-13, DMTH8003SPS-13, DMTH8012LPSW-13, EMB06N03V, FDMS86380-F085, G12P03D3, G16P03D3, NCEP15T14, GL35N03AD3, GT080N10D5, GT110N06D5, HGQ065NE4A, HSBA3016, HSBA4115, HSBA4204, HSBA4909