GL150N03AD Todos los transistores

 

GL150N03AD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GL150N03AD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: QFN5X6
 

 Búsqueda de reemplazo de GL150N03AD MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

GL150N03AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1455K  1
 gl150n03ad.pdf pdf_icon

GL150N03AD

R GL150N03AD GL Silicon N-Channel Power MOSFET V 30 V DSSGeneral Description ID 150 A The GL150N03AD uses advanced trench technology P 78 W D and design to provide excellent RDS(ON) with low gate R 1.9 m DS(ON)charge. It can be used in a wide variety of applications. The QFN56 package form is QFN56, which accord

Otros transistores... DMTH6002LPS-13 , DMTH6010LPSQ-13 , DMTH8003SPS-13 , DMTH8012LPSW-13 , EMB06N03V , FDMS86380-F085 , G12P03D3 , G16P03D3 , IRFP450 , GL35N03AD3 , GT080N10D5 , GT110N06D5 , HGQ065NE4A , HSBA3016 , HSBA4115 , HSBA4204 , HSBA4909 .

History: HY1906C2 | SML1001R3HN

 

 
Back to Top

 


 
.