GL150N03AD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GL150N03AD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: QFN5X6

Аналог (замена) для GL150N03AD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GL150N03AD даташит

 ..1. Size:1455K  1
 gl150n03ad.pdf pdf_icon

GL150N03AD

R GL150N03AD GL Silicon N-Channel Power MOSFET V 30 V DSS General Description ID 150 A The GL150N03AD uses advanced trench technology P 78 W D and design to provide excellent RDS(ON) with low gate R 1.9 m DS(ON) charge. It can be used in a wide variety of applications. The QFN5 6 package form is QFN5 6, which accord

Другие IGBT... DMTH6002LPS-13, DMTH6010LPSQ-13, DMTH8003SPS-13, DMTH8012LPSW-13, EMB06N03V, FDMS86380-F085, G12P03D3, G16P03D3, NCEP15T14, GL35N03AD3, GT080N10D5, GT110N06D5, HGQ065NE4A, HSBA3016, HSBA4115, HSBA4204, HSBA4909