Справочник MOSFET. GL150N03AD

 

GL150N03AD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GL150N03AD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: QFN5X6
 

 Аналог (замена) для GL150N03AD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GL150N03AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1455K  1
 gl150n03ad.pdf pdf_icon

GL150N03AD

R GL150N03AD GL Silicon N-Channel Power MOSFET V 30 V DSSGeneral Description ID 150 A The GL150N03AD uses advanced trench technology P 78 W D and design to provide excellent RDS(ON) with low gate R 1.9 m DS(ON)charge. It can be used in a wide variety of applications. The QFN56 package form is QFN56, which accord

Другие MOSFET... DMTH6002LPS-13 , DMTH6010LPSQ-13 , DMTH8003SPS-13 , DMTH8012LPSW-13 , EMB06N03V , FDMS86380-F085 , G12P03D3 , G16P03D3 , IRFP450 , GL35N03AD3 , GT080N10D5 , GT110N06D5 , HGQ065NE4A , HSBA3016 , HSBA4115 , HSBA4204 , HSBA4909 .

History: MTP3N40 | NCE0203S | MX2N5116 | AON6248 | ME7890ED | STI24N60M2 | WMB115N15LG4

 

 
Back to Top

 


 
.