GL35N03AD3 Todos los transistores

 

GL35N03AD3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GL35N03AD3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: QFN3.3X3.3
 

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GL35N03AD3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1004K  1
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GL35N03AD3

R GL35N03AD3 GL Silicon N-Channel Power MOSFET General Description V 30 V DSSThe GL35N03AD3 uses advanced trench technology and I 35 A Ddesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It P 40 W DR 4.7 m can be used in a wide variety of applications. The package DS(ON)typeform is QFN 3.33.3, which accords w

 9.1. Size:727K  fairchild semi
 fgl35n120ftd.pdf pdf_icon

GL35N03AD3

February 2010FGL35N120FTDtm1200V, 35A Trench IGBTFeatures General Description Field Stop Trench Technology Using advanced field stop trench technology, Fairchilds 1200Vtrench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High Speed Switchingmances, and easy parallel operation with exceptional avalanche Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.68 V @ IC = 35Ar

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