GL35N03AD3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GL35N03AD3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: QFN3.3X3.3

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GL35N03AD3 datasheet

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GL35N03AD3

R GL35N03AD3 GL Silicon N-Channel Power MOSFET General Description V 30 V DSS The GL35N03AD3 uses advanced trench technology and I 35 A D design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It P 40 W D R 4.7 m can be used in a wide variety of applications. The package DS(ON)type form is QFN 3.3 3.3, which accords w

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GL35N03AD3

February 2010 FGL35N120FTD tm 1200V, 35A Trench IGBT Features General Description Field Stop Trench Technology Using advanced field stop trench technology, Fairchild s 1200V trench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High Speed Switching mances, and easy parallel operation with exceptional avalanche Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.68 V @ IC = 35A r

Otros transistores... DMTH6010LPSQ-13, DMTH8003SPS-13, DMTH8012LPSW-13, EMB06N03V, FDMS86380-F085, G12P03D3, G16P03D3, GL150N03AD, AON7506, GT080N10D5, GT110N06D5, HGQ065NE4A, HSBA3016, HSBA4115, HSBA4204, HSBA4909, HSBA6074