GT080N10D5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT080N10D5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 315 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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GT080N10D5 datasheet

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GT080N10D5

GOFORD GT080N10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT080N10 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 75A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 8.1. Size:759K  cn super semi
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GT080N10D5

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 80V Super Gate Power MOSFET SGT080N055 Rev. 1.0 Sep. 2021 www.supersemi.com.cn SGT080N055 80V N-Channel MOSFET Description Features VDS 80V The SG-MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 120A that is uniquely optimized to provide the most efficient high Typ. RD

Otros transistores... DMTH8003SPS-13, DMTH8012LPSW-13, EMB06N03V, FDMS86380-F085, G12P03D3, G16P03D3, GL150N03AD, GL35N03AD3, STP80NF70, GT110N06D5, HGQ065NE4A, HSBA3016, HSBA4115, HSBA4204, HSBA4909, HSBA6074, HSBA6115