Справочник MOSFET. GT080N10D5

 

GT080N10D5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GT080N10D5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GT080N10D5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:928K  1
 gt080n10d5.pdf pdf_icon

GT080N10D5

GOFORDGT080N10N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT080N10 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 75A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 8.1. Size:759K  cn super semi
 sgt080n055.pdf pdf_icon

GT080N10D5

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor80V Super Gate Power MOSFETSGT080N055Rev. 1.0Sep. 2021www.supersemi.com.cnSGT080N05580V N-Channel MOSFETDescription Features VDS 80VThe SG-MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 120Athat is uniquely optimized to provide the most efficient high Typ. RD

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SUD50N03-06AP | 2SK366 | FK360602 | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.