GT080N10D5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT080N10D5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для GT080N10D5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT080N10D5 даташит

 ..1. Size:928K  1
 gt080n10d5.pdf pdf_icon

GT080N10D5

GOFORD GT080N10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT080N10 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 75A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 8.1. Size:759K  cn super semi
 sgt080n055.pdf pdf_icon

GT080N10D5

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 80V Super Gate Power MOSFET SGT080N055 Rev. 1.0 Sep. 2021 www.supersemi.com.cn SGT080N055 80V N-Channel MOSFET Description Features VDS 80V The SG-MOSFET uses advanced trench MOSFET technology ID (at Vgs=10V) 120A that is uniquely optimized to provide the most efficient high Typ. RD

Другие IGBT... DMTH8003SPS-13, DMTH8012LPSW-13, EMB06N03V, FDMS86380-F085, G12P03D3, G16P03D3, GL150N03AD, GL35N03AD3, STP80NF70, GT110N06D5, HGQ065NE4A, HSBA3016, HSBA4115, HSBA4204, HSBA4909, HSBA6074, HSBA6115