GT110N06D5 Todos los transistores

 

GT110N06D5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT110N06D5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6
 

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GT110N06D5 Datasheet (PDF)

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GT110N06D5

GOFORD GT110N06D5N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT110N06D5 uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 60V ID (at VGS = 10V) 45A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Otros transistores... DMTH8012LPSW-13 , EMB06N03V , FDMS86380-F085 , G12P03D3 , G16P03D3 , GL150N03AD , GL35N03AD3 , GT080N10D5 , IRF1407 , HGQ065NE4A , HSBA3016 , HSBA4115 , HSBA4204 , HSBA4909 , HSBA6074 , HSBA6115 , HSBA6214 .

History: SML1001R3HN | SSH5N90A | HY1906C2

 

 
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