GT110N06D5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT110N06D5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для GT110N06D5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT110N06D5 даташит

 ..1. Size:921K  1
 gt110n06d5.pdf pdf_icon

GT110N06D5

GOFORD GT110N06D5 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT110N06D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS 60V ID (at VGS = 10V) 45A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Другие IGBT... DMTH8012LPSW-13, EMB06N03V, FDMS86380-F085, G12P03D3, G16P03D3, GL150N03AD, GL35N03AD3, GT080N10D5, IRFP450, HGQ065NE4A, HSBA3016, HSBA4115, HSBA4204, HSBA4909, HSBA6074, HSBA6115, HSBA6214