HGQ065NE4A Todos los transistores

 

HGQ065NE4A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGQ065NE4A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 18 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 493 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

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HGQ065NE4A Datasheet (PDF)

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HGQ065NE4A

Silicon N-Channel Power MOSFET R HGQ065NE4A General Description VDSS 45 V HGQ065NE4A, the silicon N-channel Enhanced ID 60 A PD 39 W VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench RDS(ON)Typ 5.2 m technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and

Otros transistores... EMB06N03V , FDMS86380-F085 , G12P03D3 , G16P03D3 , GL150N03AD , GL35N03AD3 , GT080N10D5 , GT110N06D5 , IRFZ24N , HSBA3016 , HSBA4115 , HSBA4204 , HSBA4909 , HSBA6074 , HSBA6115 , HSBA6214 , HSBB3072 .

History: PSMN012-80BS | ME2612

 

 
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