HGQ065NE4A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HGQ065NE4A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 39 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 45 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 18 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 24 nC
   Tiempo de subida (tr): 6 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 493 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6

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HGQ065NE4A Datasheet (PDF)

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hgq065ne4a.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET R HGQ065NE4A General Description VDSS 45 V HGQ065NE4A, the silicon N-channel Enhanced ID 60 A PD 39 W VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench RDS(ON)Typ 5.2 m technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and

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