HGQ065NE4A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HGQ065NE4A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 18 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 493 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для HGQ065NE4A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HGQ065NE4A даташит

 ..1. Size:846K  1
 hgq065ne4a.pdf pdf_icon

HGQ065NE4A

Silicon N-Channel Power MOSFET R HGQ065NE4A General Description VDSS 45 V HGQ065NE4A, the silicon N-channel Enhanced ID 60 A PD 39 W VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench RDS(ON)Typ 5.2 m technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and

Другие IGBT... EMB06N03V, FDMS86380-F085, G12P03D3, G16P03D3, GL150N03AD, GL35N03AD3, GT080N10D5, GT110N06D5, TK10A60D, HSBA3016, HSBA4115, HSBA4204, HSBA4909, HSBA6074, HSBA6115, HSBA6214, HSBB3072