Справочник MOSFET. HGQ065NE4A

 

HGQ065NE4A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HGQ065NE4A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 493 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6

 Аналог (замена) для HGQ065NE4A

 

 

HGQ065NE4A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:846K  1
 hgq065ne4a.pdf

HGQ065NE4A HGQ065NE4A

Silicon N-Channel Power MOSFET R HGQ065NE4A General Description VDSS 45 V HGQ065NE4A, the silicon N-channel Enhanced ID 60 A PD 39 W VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench RDS(ON)Typ 5.2 m technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top