HYG007N03LS1C2 Todos los transistores

 

HYG007N03LS1C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HYG007N03LS1C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1636 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0008 Ohm
   Paquete / Cubierta: PPAK5X6-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de HYG007N03LS1C2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HYG007N03LS1C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:709K  1
 hyg007n03ls1c2.pdf pdf_icon

HYG007N03LS1C2

HYG007N03LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/220A D D D D D D D D RDS(ON)= 0.63m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 0.96 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manag

 9.1. Size:769K  1
 hyg009n04ls1c2.pdf pdf_icon

HYG007N03LS1C2

HYG009N04LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/200A D D D D D D D D RDS(ON)= 0.75m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 1.05m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manage

Otros transistores... HSBA4909 , HSBA6074 , HSBA6115 , HSBA6214 , HSBB3072 , HSBB6113 , HSBB6254 , HY1906C2 , 75N75 , HYG009N04LS1C2 , HYG011N04LS1C2 , HYG013N03LS1C2 , HYG015N04LS1C2 , HYG017N04LS1C2 , HYG019N04NR1C2 , HYG023N03LR1C2 , HYG025N04NA1C2 .

History: SML1001R3HN | HY1906C2

 

 
Back to Top

 


 
.