Справочник MOSFET. HYG007N03LS1C2

 

HYG007N03LS1C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HYG007N03LS1C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1636 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0008 Ohm
   Тип корпуса: PPAK5X6-8L
 

 Аналог (замена) для HYG007N03LS1C2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG007N03LS1C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:709K  1
 hyg007n03ls1c2.pdf pdf_icon

HYG007N03LS1C2

HYG007N03LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/220A D D D D D D D D RDS(ON)= 0.63m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 0.96 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manag

 9.1. Size:769K  1
 hyg009n04ls1c2.pdf pdf_icon

HYG007N03LS1C2

HYG009N04LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/200A D D D D D D D D RDS(ON)= 0.75m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 1.05m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manage

Другие MOSFET... HSBA4909 , HSBA6074 , HSBA6115 , HSBA6214 , HSBB3072 , HSBB6113 , HSBB6254 , HY1906C2 , 75N75 , HYG009N04LS1C2 , HYG011N04LS1C2 , HYG013N03LS1C2 , HYG015N04LS1C2 , HYG017N04LS1C2 , HYG019N04NR1C2 , HYG023N03LR1C2 , HYG025N04NA1C2 .

History: IRL3103D2PBF

 

 
Back to Top

 


 
.