HYG007N03LS1C2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HYG007N03LS1C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1636 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0008 Ohm

Тип корпуса: PPAK5X6-8L

Аналог (замена) для HYG007N03LS1C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG007N03LS1C2 даташит

 ..1. Size:709K  1
 hyg007n03ls1c2.pdf pdf_icon

HYG007N03LS1C2

HYG007N03LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/220A D D D D D D D D RDS(ON)= 0.63m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 0.96 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manag

 9.1. Size:769K  1
 hyg009n04ls1c2.pdf pdf_icon

HYG007N03LS1C2

HYG009N04LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/200A D D D D D D D D RDS(ON)= 0.75m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 1.05m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manage

Другие IGBT... HSBA4909, HSBA6074, HSBA6115, HSBA6214, HSBB3072, HSBB6113, HSBB6254, HY1906C2, 18N50, HYG009N04LS1C2, HYG011N04LS1C2, HYG013N03LS1C2, HYG015N04LS1C2, HYG017N04LS1C2, HYG019N04NR1C2, HYG023N03LR1C2, HYG025N04NA1C2