Справочник MOSFET. HYG007N03LS1C2

 

HYG007N03LS1C2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HYG007N03LS1C2
   Маркировка: G007N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 104 nC
   trⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1636 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0008 Ohm
   Тип корпуса: PPAK5X6-8L

 Аналог (замена) для HYG007N03LS1C2

 

 

HYG007N03LS1C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:709K  1
 hyg007n03ls1c2.pdf

HYG007N03LS1C2 HYG007N03LS1C2

HYG007N03LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/220A D D D D D D D D RDS(ON)= 0.63m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 0.96 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manag

 9.1. Size:769K  1
 hyg009n04ls1c2.pdf

HYG007N03LS1C2 HYG007N03LS1C2

HYG009N04LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/200A D D D D D D D D RDS(ON)= 0.75m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 1.05m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manage

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top