HYG045N03LA1C1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HYG045N03LA1C1
   Código: G045N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 23 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 46.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 19 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 273 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0048 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HYG045N03LA1C1

HYG045N03LA1C1 Datasheet (PDF)

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hyg045n03la1c1.pdf

HYG045N03LA1C1N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 30V/50ARDS(ON)=3.9 m (typ.) @VGS = 10VRDS(ON)=5.2 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices AvailablePin1(RoHS Compliant)Applications Switching Application Battery ProtectionSingle N-Channel MOSFETOrdering and Marking Info

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hyg045n03la1c2.pdf

HYG045N03LA1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 30V/78AD D D DD D D DRDS(ON)= 3.6 m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 4.8 m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect boardSingle N-Channel MOSFETO

1.2. Size:1346K hymexa
hyg045n03la1c2.pdf

9.1. Size:863K 1
hyg042n10ns1p hyg042n10ns1b.pdf

HYG042N10NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/160A RDS(ON)=3.5m(typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application DC-DC Converters N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information

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Liste

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