HYG045N03LA1C1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HYG045N03LA1C1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 273 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для HYG045N03LA1C1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG045N03LA1C1 даташит

 ..1. Size:1340K  1
 hyg045n03la1c1.pdf pdf_icon

HYG045N03LA1C1

HYG045N03LA1C1 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 30V/50A RDS(ON)=3.9 m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)=5.2 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen Free and Green Devices Available Pin1 (RoHS Compliant) Applications Switching Application Battery Protection Single N-Channel MOSFET Ordering and Marking Info

 1.1. Size:1346K  1
 hyg045n03la1c2.pdf pdf_icon

HYG045N03LA1C1

HYG045N03LA1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 30V/78A D D D D D D D D RDS(ON)= 3.6 m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 4.8 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G PDFN8L(5x6) Applications Load Switch Lithium battery protect board Single N-Channel MOSFET O

 1.2. Size:1346K  hymexa
 hyg045n03la1c2.pdf pdf_icon

HYG045N03LA1C1

HYG045N03LA1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 30V/78A D D D D D D D D RDS(ON)= 3.6 m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 4.8 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G PDFN8L(5x6) Applications Load Switch Lithium battery protect board Single N-Channel MOSFET O

 9.1. Size:863K  1
 hyg042n10ns1p hyg042n10ns1b.pdf pdf_icon

HYG045N03LA1C1

HYG042N10NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/160A RDS(ON)=3.5m (typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application DC-DC Converters N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HYG009N04LS1C2, HYG011N04LS1C2, HYG013N03LS1C2, HYG015N04LS1C2, HYG017N04LS1C2, HYG019N04NR1C2, HYG023N03LR1C2, HYG025N04NA1C2, 75N75, HYG055N08NS1C2, HYG072N10LS1C2, HYG110P04LQ2C2, IPLK60R1K0PFD7, IPLK60R1K5PFD7, IPLK60R360PFD7, IPLK60R600PFD7, IRFH3707TRPBF