HYG110P04LQ2C2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HYG110P04LQ2C2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 253 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

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HYG110P04LQ2C2 datasheet

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HYG110P04LQ2C2

HYG110P04LQ2C2 Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description -40V/-55A D D D D D D D D RDS(ON)= 9.0 m (typ.) @VGS = - 10V RDS(ON)= 13.0 m (typ.) @VGS = - 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Powe

 2.1. Size:655K  hymexa
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HYG110P04LQ2C2

HYG110P04LQ2 D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -40V/-50A RDS(ON)= 9.4m (typ.) @VGS = -10V RDS(ON)= 13 m (typ.) @VGS = -4.5V S D S G D 100% avalanche tested G S Reliable and Rugged D G Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Switching application Power Management in

Otros transistores... HYG015N04LS1C2, HYG017N04LS1C2, HYG019N04NR1C2, HYG023N03LR1C2, HYG025N04NA1C2, HYG045N03LA1C1, HYG055N08NS1C2, HYG072N10LS1C2, STP65NF06, IPLK60R1K0PFD7, IPLK60R1K5PFD7, IPLK60R360PFD7, IPLK60R600PFD7, IRFH3707TRPBF, IRFH5006TRPBF, IRFH5010TRPBF, IRFH5020TRPBF