Справочник MOSFET. HYG110P04LQ2C2

 

HYG110P04LQ2C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HYG110P04LQ2C2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 253 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0115 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для HYG110P04LQ2C2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG110P04LQ2C2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:739K  1
 hyg110p04lq2c2.pdf pdf_icon

HYG110P04LQ2C2

HYG110P04LQ2C2 Single P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description -40V/-55A D D D D D D D D RDS(ON)= 9.0 m (typ.) @VGS = - 10V RDS(ON)= 13.0 m (typ.) @VGS = - 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Powe

 2.1. Size:655K  hymexa
 hyg110p04lq2d hyg110p04lq2u hyg110p04lq2v.pdf pdf_icon

HYG110P04LQ2C2

HYG110P04LQ2 D/U/V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description -40V/-50ARDS(ON)= 9.4m(typ.) @VGS = -10V RDS(ON)= 13 m(typ.) @VGS = -4.5V SDSGD 100% avalanche testedGS Reliable and Rugged DG Halogen Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Switching application Power Management in

Другие MOSFET... HYG015N04LS1C2 , HYG017N04LS1C2 , HYG019N04NR1C2 , HYG023N03LR1C2 , HYG025N04NA1C2 , HYG045N03LA1C1 , HYG055N08NS1C2 , HYG072N10LS1C2 , IRFZ48N , IPLK60R1K0PFD7 , IPLK60R1K5PFD7 , IPLK60R360PFD7 , IPLK60R600PFD7 , IRFH3707TRPBF , IRFH5006TRPBF , IRFH5010TRPBF , IRFH5020TRPBF .

History: TK6B60D | TK80F08K3 | IXTP64N055T | NCEP02580 | KP778B | NCEP30T12G | HUF75631S3S

 

 
Back to Top

 


 
.