JMTQ55P02A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTQ55P02A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3.3X3.3-8L
Búsqueda de reemplazo de JMTQ55P02A MOSFET
JMTQ55P02A Datasheet (PDF)
jmtq55p02a.pdf
JMTQ55P02ADescriptionJMT P-channel MOSFETFeatures Application V =-20V, I =-55A PWM ApplicationsDS DR
jmtq55p02a.pdf
JMTQ55P02ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V =-20V, I =-55A PWM ApplicationsDS DR
Otros transistores... IRLHM630TRPBF , JMSL0302AG , JMSL0302AU , JMSL0406AG , JMSL0606AG , JMTG040N03A , JMTG3002B , JMTQ35N06A , IRF640N , JSM2050 , JSM2622 , JSM3622 , JSM36326 , JSM6435 , JSM6764 , JSM7240 , JSM7409 .
History: ME2306AS-G | APM4220 | AO4924 | APM4101K
History: ME2306AS-G | APM4220 | AO4924 | APM4101K
Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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