JMTQ55P02A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTQ55P02A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3.3X3.3-8L
Búsqueda de reemplazo de JMTQ55P02A MOSFET
JMTQ55P02A Datasheet (PDF)
jmtq55p02a.pdf
JMTQ55P02ADescriptionJMT P-channel MOSFETFeatures Application V =-20V, I =-55A PWM ApplicationsDS DR
jmtq55p02a.pdf
JMTQ55P02ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V =-20V, I =-55A PWM ApplicationsDS DR
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History: AOT11S60L | 2N65G-T6C-K
History: AOT11S60L | 2N65G-T6C-K
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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