JMTQ55P02A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTQ55P02A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: PDFN3.3X3.3-8L
Аналог (замена) для JMTQ55P02A
JMTQ55P02A Datasheet (PDF)
jmtq55p02a.pdf

JMTQ55P02ADescriptionJMT P-channel MOSFETFeatures Application V =-20V, I =-55A PWM ApplicationsDS DR
jmtq55p02a.pdf

JMTQ55P02ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V =-20V, I =-55A PWM ApplicationsDS DR
Другие MOSFET... IRLHM630TRPBF , JMSL0302AG , JMSL0302AU , JMSL0406AG , JMSL0606AG , JMTG040N03A , JMTG3002B , JMTQ35N06A , IRF640N , JSM2050 , JSM2622 , JSM3622 , JSM36326 , JSM6435 , JSM6764 , JSM7240 , JSM7409 .
History: UTN3055 | IRFP9150 | 2SK1662M
History: UTN3055 | IRFP9150 | 2SK1662M



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141