JMTQ55P02A - описание и поиск аналогов

 

JMTQ55P02A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JMTQ55P02A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3-8L

Аналог (замена) для JMTQ55P02A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ55P02A даташит

 ..1. Size:498K  1
jmtq55p02a.pdfpdf_icon

JMTQ55P02A

JMTQ55P02A Description JMT P-channel MOSFET Features Application V =-20V, I =-55A PWM Applications DS D R

 ..2. Size:475K  jiejie micro
jmtq55p02a.pdfpdf_icon

JMTQ55P02A

JMTQ55P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V =-20V, I =-55A PWM Applications DS D R

Другие MOSFET... IRLHM630TRPBF , JMSL0302AG , JMSL0302AU , JMSL0406AG , JMSL0606AG , JMTG040N03A , JMTG3002B , JMTQ35N06A , IRFB4110 , JSM2050 , JSM2622 , JSM3622 , JSM36326 , JSM6435 , JSM6764 , JSM7240 , JSM7409 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.