JMTQ55P02A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTQ55P02A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: PDFN3.3X3.3-8L
Аналог (замена) для JMTQ55P02A
JMTQ55P02A Datasheet (PDF)
..1. Size:498K 1
jmtq55p02a.pdf
jmtq55p02a.pdf
JMTQ55P02ADescriptionJMT P-channel MOSFETFeatures Application V =-20V, I =-55A PWM ApplicationsDS DR
..2. Size:475K jiejie micro
jmtq55p02a.pdf
jmtq55p02a.pdf
JMTQ55P02ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V =-20V, I =-55A PWM ApplicationsDS DR
Другие MOSFET... IRLHM630TRPBF , JMSL0302AG , JMSL0302AU , JMSL0406AG , JMSL0606AG , JMTG040N03A , JMTG3002B , JMTQ35N06A , IRF640N , JSM2050 , JSM2622 , JSM3622 , JSM36326 , JSM6435 , JSM6764 , JSM7240 , JSM7409 .
History: VBZL80N08 | AO3419L | AOWF11S60 | CMI100N04 | SHD225603
History: VBZL80N08 | AO3419L | AOWF11S60 | CMI100N04 | SHD225603
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141