JSM2050 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JSM2050
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3333-8
- Selección de transistores por parámetros
JSM2050 Datasheet (PDF)
jsm2050.pdf

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription The JSM2050 uses advanced trench technology to Gprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. SGeneral Features Schematic diagram VDS = 20V,ID = 50A RDS(ON)
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: SVG086R0NDTR | STK28N3LLH5 | IRF7103PBF | IPD12CN10NG | NVMFS020N06C | WSD2012DN25 | NCEAP40T17AD
History: SVG086R0NDTR | STK28N3LLH5 | IRF7103PBF | IPD12CN10NG | NVMFS020N06C | WSD2012DN25 | NCEAP40T17AD



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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