JSM2050 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JSM2050
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 17.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Encapsulados: PDFN3333-8
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JSM2050 datasheet
jsm2050.pdf
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The JSM2050 uses advanced trench technology to G provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. S General Features Schematic diagram VDS = 20V,ID = 50A RDS(ON)
Otros transistores... JMSL0302AG , JMSL0302AU , JMSL0406AG , JMSL0606AG , JMTG040N03A , JMTG3002B , JMTQ35N06A , JMTQ55P02A , IRF640N , JSM2622 , JSM3622 , JSM36326 , JSM6435 , JSM6764 , JSM7240 , JSM7409 , JSM7409B .
History: MEE7816S | TPCA8106
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