Справочник MOSFET. JSM2050

 

JSM2050 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JSM2050
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

JSM2050 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2702K  1
 jsm2050.pdf pdf_icon

JSM2050

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription The JSM2050 uses advanced trench technology to Gprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. SGeneral Features Schematic diagram VDS = 20V,ID = 50A RDS(ON)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HGB025N10A | AMCC920NE | IPD25CN10N | IRHSNA57064 | SSM3K344R | SFS06R02PF | NCE60N700K

 

 
Back to Top

 


 
.