JSM36326 Todos los transistores

 

JSM36326 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JSM36326
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 28 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0099 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3EP
     - Selección de transistores por parámetros

 

JSM36326 Datasheet (PDF)

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JSM36326

JSM36326N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 28V N-Channel MOSFETDFN 3x3_EPPRODUCT SUMMARYTop View Bottom ViewVDS (V) = 28VID = 12A (VGS = 10V)RDS(ON)

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JSM36326

JSM3622N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETDescription D1 D2The JSM3622 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G1 G2voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application. S1 S2Schematic diagram General Feature VDS =30V,ID =25A RDS(ON) Typ

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FDBL0150N80 | AP09N70R-H | 2SK1212 | DMT32M5LFG | 4N70L-TN3-R | IRHMK57260SE | TK6P53D

 

 
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