JSM36326 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JSM36326
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 28 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 305 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0099 Ohm
Encapsulados: DFN3X3EP
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JSM36326 datasheet
jsm36326.pdf
JSM36326 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 28V N-Channel MOSFET DFN 3x3_EP PRODUCT SUMMARY Top View Bottom View VDS (V) = 28V ID = 12A (VGS = 10V) RDS(ON)
jsm3622.pdf
JSM3622 N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description D1 D2 The JSM3622 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G1 G2 voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application. S1 S2 Schematic diagram General Feature VDS =30V,ID =25A RDS(ON) Typ
Otros transistores... JMSL0606AG , JMTG040N03A , JMTG3002B , JMTQ35N06A , JMTQ55P02A , JSM2050 , JSM2622 , JSM3622 , IRFB4227 , JSM6435 , JSM6764 , JSM7240 , JSM7409 , JSM7409B , JSM7410 , JSM7788 , KCY3008A .
History: STF10N62K3
History: STF10N62K3
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