Справочник MOSFET. JSM36326

 

JSM36326 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JSM36326
   Маркировка: 36326
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 28 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0099 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3EP

 Аналог (замена) для JSM36326

 

 

JSM36326 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4930K  1
 jsm36326.pdf

JSM36326 JSM36326

JSM36326N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 28V N-Channel MOSFETDFN 3x3_EPPRODUCT SUMMARYTop View Bottom ViewVDS (V) = 28VID = 12A (VGS = 10V)RDS(ON)

 9.1. Size:2165K  1
 jsm3622.pdf

JSM36326 JSM36326

JSM3622N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETDescription D1 D2The JSM3622 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G1 G2voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application. S1 S2Schematic diagram General Feature VDS =30V,ID =25A RDS(ON) Typ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AM6802

 

 
Back to Top