LSGNE03R098WB Todos los transistores

LSGNE03R098WB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LSGNE03R098WB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm

Encapsulados: PRPAK3X3

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros