LSGNE03R098WB. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: LSGNE03R098WB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm
Тип корпуса: PRPAK3X3
Аналог (замена) для LSGNE03R098WB
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
LSGNE03R098WB даташит
Другие MOSFET... JSM7240 , JSM7409 , JSM7409B , JSM7410 , JSM7788 , KCY3008A , KCY3310A , KNY3403B , IRF9540 , MCAC10H03-TP , MCAC16N03-TP , MCAC30N06Y-TP , MCAC40N10YA-TP , MCAC50N06Y-TP , MCAC50N10Y-TP , MCAC60N08Y-TP , MCAC75N02-TP .
History: IRLF120 | FDS8978
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640