MCAC40N10YA-TP Todos los transistores

 

MCAC40N10YA-TP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MCAC40N10YA-TP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 259 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5060
     - Selección de transistores por parámetros

 

MCAC40N10YA-TP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1668K  1
 mcac40n10ya-tp.pdf pdf_icon

MCAC40N10YA-TP

MCAC40N10YAElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 100 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=80V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 A2 4 VGate-Threshold Voltage(Note 2 VGS(th) VDS

 3.1. Size:1668K  mcc
 mcac40n10ya.pdf pdf_icon

MCAC40N10YA-TP

MCAC40N10YAElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 100 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=80V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 A2 4 VGate-Threshold Voltage(Note 2 VGS(th) VDS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: DMP1096UCB4 | SMOS44N80 | AM2336N-T1 | CEF05N6 | G11 | AUIRF7734M2

 

 
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