Справочник MOSFET. MCAC40N10YA-TP

 

MCAC40N10YA-TP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCAC40N10YA-TP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 259 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
 

 Аналог (замена) для MCAC40N10YA-TP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC40N10YA-TP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1668K  1
 mcac40n10ya-tp.pdf pdf_icon

MCAC40N10YA-TP

MCAC40N10YAElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 100 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=80V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 A2 4 VGate-Threshold Voltage(Note 2 VGS(th) VDS

 3.1. Size:1668K  mcc
 mcac40n10ya.pdf pdf_icon

MCAC40N10YA-TP

MCAC40N10YAElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 100 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=80V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 A2 4 VGate-Threshold Voltage(Note 2 VGS(th) VDS

Другие MOSFET... JSM7788 , KCY3008A , KCY3310A , KNY3403B , LSGNE03R098WB , MCAC10H03-TP , MCAC16N03-TP , MCAC30N06Y-TP , K4145 , MCAC50N06Y-TP , MCAC50N10Y-TP , MCAC60N08Y-TP , MCAC75N02-TP , MCAC80N045Y-TP , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP , ME7114S .

History: MTM13227 | DMN95H8D5HCTI | BSB104N08NP3G | UT6302 | H5N2509PF | SSRK7002LT1G | AT10N65S

 

 
Back to Top

 


 
.