MCAC40N10YA-TP - описание и поиск аналогов

 

MCAC40N10YA-TP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCAC40N10YA-TP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 259 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: DFN5060

Аналог (замена) для MCAC40N10YA-TP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC40N10YA-TP даташит

 ..1. Size:1668K  1
 mcac40n10ya-tp.pdf pdf_icon

MCAC40N10YA-TP

MCAC40N10YA Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 100 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA IDSS VDS=80V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A 2 4 V Gate-Threshold Voltage(Note 2 VGS(th) VDS

 3.1. Size:1668K  mcc
 mcac40n10ya.pdf pdf_icon

MCAC40N10YA-TP

MCAC40N10YA Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 100 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA IDSS VDS=80V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A 2 4 V Gate-Threshold Voltage(Note 2 VGS(th) VDS

Другие MOSFET... JSM7788 , KCY3008A , KCY3310A , KNY3403B , LSGNE03R098WB , MCAC10H03-TP , MCAC16N03-TP , MCAC30N06Y-TP , 2N7002 , MCAC50N06Y-TP , MCAC50N10Y-TP , MCAC60N08Y-TP , MCAC75N02-TP , MCAC80N045Y-TP , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP , ME7114S .

History: FW342-TL | STF5N105K5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.