MCAC60N08Y-TP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCAC60N08Y-TP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 337 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
Encapsulados: DFN5060
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MCAC60N08Y-TP datasheet
mcac60n08y-tp.pdf
MCAC60N08Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 80 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA IDSS VDS=64V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A VGS(th) VDS=VGS, ID=250 A Gate-Threshold Voltage 2
mcac60n08y.pdf
MCAC60N08Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 80 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA IDSS VDS=64V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A VGS(th) VDS=VGS, ID=250 A Gate-Threshold Voltage 2
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History: AGM3416EL
History: AGM3416EL
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