MCAC60N08Y-TP - аналоги и даташиты транзистора

 

MCAC60N08Y-TP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MCAC60N08Y-TP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 337 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
 

 Аналог (замена) для MCAC60N08Y-TP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC60N08Y-TP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1538K  1
 mcac60n08y-tp.pdf pdf_icon

MCAC60N08Y-TP

MCAC60N08YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 80 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=64V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250AGate-Threshold Voltage 2

 4.1. Size:1538K  mcc
 mcac60n08y.pdf pdf_icon

MCAC60N08Y-TP

MCAC60N08YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 80 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=64V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250AGate-Threshold Voltage 2

Другие MOSFET... KNY3403B , LSGNE03R098WB , MCAC10H03-TP , MCAC16N03-TP , MCAC30N06Y-TP , MCAC40N10YA-TP , MCAC50N06Y-TP , MCAC50N10Y-TP , IRLB4132 , MCAC75N02-TP , MCAC80N045Y-TP , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP , ME7114S , ME7170 , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP .

History: JCS10N60FT | 2N7002G-AE2-R | ME4953-G | YJL3401A | LSGNE03R098WB | JCS10N60ST | ME4825-G

 

 
Back to Top

 


 
.