MCAC75N02-TP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCAC75N02-TP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 87 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 372 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0048 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5060
Búsqueda de reemplazo de MCAC75N02-TP MOSFET
MCAC75N02-TP Datasheet (PDF)
mcac75n02-tp.pdf
MCAC75N02Electrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 20 VIGSS VDS=0V, VGS =10VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=16V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250AGate-Threshold Voltage 0.3
mcac75n02.pdf
MCAC75N02Electrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 20 VIGSS VDS=0V, VGS =10VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=16V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250AGate-Threshold Voltage 0.3
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History: ME9435-G | ME66N04T | R6002END | FQD19N10L | MSK30P02DF | YJP150N06AQ | JCS10N60CT
History: ME9435-G | ME66N04T | R6002END | FQD19N10L | MSK30P02DF | YJP150N06AQ | JCS10N60CT
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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