MCAC75N02-TP - описание и поиск аналогов

 

MCAC75N02-TP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCAC75N02-TP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 372 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: DFN5060

Аналог (замена) для MCAC75N02-TP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC75N02-TP даташит

 ..1. Size:1537K  1
 mcac75n02-tp.pdf pdf_icon

MCAC75N02-TP

MCAC75N02 Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 20 V IGSS VDS=0V, VGS = 10V Gate-Source Leakage Current 100 nA IDSS VDS=16V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A VGS(th) VDS=VGS, ID=250 A Gate-Threshold Voltage 0.3

 5.1. Size:1537K  mcc
 mcac75n02.pdf pdf_icon

MCAC75N02-TP

MCAC75N02 Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 20 V IGSS VDS=0V, VGS = 10V Gate-Source Leakage Current 100 nA IDSS VDS=16V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A VGS(th) VDS=VGS, ID=250 A Gate-Threshold Voltage 0.3

Другие MOSFET... LSGNE03R098WB , MCAC10H03-TP , MCAC16N03-TP , MCAC30N06Y-TP , MCAC40N10YA-TP , MCAC50N06Y-TP , MCAC50N10Y-TP , MCAC60N08Y-TP , AO3401 , MCAC80N045Y-TP , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP , ME7114S , ME7170 , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF .

History: AOB292L | KTK5132V | KTK5132U | AP30H150KA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.