MCG10P03-TP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MCG10P03-TP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3030
Búsqueda de reemplazo de MCG10P03-TP MOSFET
MCG10P03-TP Datasheet (PDF)
mcg10p03-tp.pdf
MCG10P03Features High Density Cell Desihn for Ultra Low RDS(on) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 P-CHANNEL Halogen Free. Green Device (Note 1)MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Ratings
mcg10p03.pdf
MCG10P03Features High Density Cell Desihn for Ultra Low RDS(on) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 P-CHANNEL Halogen Free. Green Device (Note 1)MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Ratings
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Liste
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