MCG10P03-TP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MCG10P03-TP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: DFN3030
Аналог (замена) для MCG10P03-TP
MCG10P03-TP Datasheet (PDF)
mcg10p03-tp.pdf
MCG10P03Features High Density Cell Desihn for Ultra Low RDS(on) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 P-CHANNEL Halogen Free. Green Device (Note 1)MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Ratings
mcg10p03.pdf
MCG10P03Features High Density Cell Desihn for Ultra Low RDS(on) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 P-CHANNEL Halogen Free. Green Device (Note 1)MOSFET Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)Maximum Ratings
Другие MOSFET... MCAC16N03-TP , MCAC30N06Y-TP , MCAC40N10YA-TP , MCAC50N06Y-TP , MCAC50N10Y-TP , MCAC60N08Y-TP , MCAC75N02-TP , MCAC80N045Y-TP , 8205A , MCG30N03-TP , ME7114S , ME7170 , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF .
History: FCD1300N80Z | SQM120N03-1M5L
History: FCD1300N80Z | SQM120N03-1M5L
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor