MSJAC11N65Y-TP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSJAC11N65Y-TP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5060
MSJAC11N65Y-TP Datasheet (PDF)
msjac11n65y-tp.pdf

MSJAC11N65YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 650 VIGSS VDS=0V, VGS =30VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=650V, VGS=0V1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=650V, VGS=0V, TJ=150C100VGS(th) VDS=
msjac11n65y.pdf

MSJAC11N65YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 650 VIGSS VDS=0V, VGS =30VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=650V, VGS=0V1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=650V, VGS=0V, TJ=150C100VGS(th) VDS=
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Liste
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