MSJAC11N65Y-TP Todos los transistores

 

MSJAC11N65Y-TP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSJAC11N65Y-TP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5060
 

 Búsqueda de reemplazo de MSJAC11N65Y-TP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MSJAC11N65Y-TP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  1
 msjac11n65y-tp.pdf pdf_icon

MSJAC11N65Y-TP

MSJAC11N65YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 650 VIGSS VDS=0V, VGS =30VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=650V, VGS=0V1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=650V, VGS=0V, TJ=150C100VGS(th) VDS=

 3.1. Size:908K  mcc
 msjac11n65y.pdf pdf_icon

MSJAC11N65Y-TP

MSJAC11N65YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 650 VIGSS VDS=0V, VGS =30VGate-Source Leakage Current 100 nAVDS=650V, VGS=0V1IDSSZero Gate Voltage Drain Current AVDS=650V, VGS=0V, TJ=150C100VGS(th) VDS=

Otros transistores... MCAC60N08Y-TP , MCAC75N02-TP , MCAC80N045Y-TP , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP , ME7114S , ME7170 , MEE7816S , TK10A60D , MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , MSK50N03DF , MSK50P03NF , MSK60N03DF .

History: CJPF10N65 | 4N65KL-TF1-T | CJU02N65 | FDD3672_F085 | MCG10P03-TP | BRB13N50

 

 
Back to Top

 


 
.