MSJAC11N65Y-TP - описание и поиск аналогов

 

MSJAC11N65Y-TP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSJAC11N65Y-TP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: DFN5060

Аналог (замена) для MSJAC11N65Y-TP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSJAC11N65Y-TP даташит

 ..1. Size:908K  1
 msjac11n65y-tp.pdf pdf_icon

MSJAC11N65Y-TP

MSJAC11N65Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 650 V IGSS VDS=0V, VGS = 30V Gate-Source Leakage Current 100 nA VDS=650V, VGS=0V 1 IDSS Zero Gate Voltage Drain Current A VDS=650V, VGS=0V, TJ=150 C 100 VGS(th) VDS=

 3.1. Size:908K  mcc
 msjac11n65y.pdf pdf_icon

MSJAC11N65Y-TP

MSJAC11N65Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 650 V IGSS VDS=0V, VGS = 30V Gate-Source Leakage Current 100 nA VDS=650V, VGS=0V 1 IDSS Zero Gate Voltage Drain Current A VDS=650V, VGS=0V, TJ=150 C 100 VGS(th) VDS=

Другие MOSFET... MCAC60N08Y-TP , MCAC75N02-TP , MCAC80N045Y-TP , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP , ME7114S , ME7170 , MEE7816S , 13N50 , MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , MSK50N03DF , MSK50P03NF , MSK60N03DF .

History: JSM36326 | KTK5134S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.