MSK20P80GNF Todos los transistores

MSK20P80GNF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSK20P80GNF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.67 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 18 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1670 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros