MSK20P80GNF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MSK20P80GNF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.67 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 149 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1670 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L

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MSK20P80GNF Datasheet (PDF)

..1. Size:586K 1
msk20p80gnf.pdf

www.msksemi.comMSK20P80GNFSemiconductorCompianceGeneral DescriptionThese P-Channel enhancement mode power field effecttransistors are using trench DMOS technology. Thisadvanced technology has been especially tailored tominimize on-state resistance, provide superior switchingperformance, and withstand high energy pulse in theavalanche and commutation mode. These devices are

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Liste

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